功率因數(shù)控制器jkg2b，功率因數(shù)控制器原理

理想情況下，設(shè)備的行為應(yīng)類似于純電阻負(fù)載，設(shè)備吸收的反射功率為零。 b) 無(wú)需專用測(cè)試臺(tái)：測(cè)試時(shí)無(wú)電流信號(hào)，控制器參數(shù)設(shè)置和測(cè)試接觸器接線也可調(diào)整。功率因數(shù)控制器(PFC) CCM、PFC 就緒信號(hào)、欠壓保護(hù)、可編程2 級(jí)輸出電壓。在統(tǒng)一補(bǔ)償方式下，即每個(gè)電容器的功率值相同時(shí)，可以減少開關(guān)動(dòng)作的次數(shù)。

分立器件和電源模塊信號(hào)調(diào)節(jié)和控制傳感器電機(jī)控制定制和專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP) 接口無(wú)線連接定時(shí)、邏輯和存儲(chǔ)器。功率因數(shù)校正電路塑造離線電源的輸入電流波形，以最大化從電源汲取的有功功率。 PoE 受電設(shè)備柵極驅(qū)動(dòng)器DC-DC 電源轉(zhuǎn)換GFCI 控制器DDR 終端穩(wěn)壓器受保護(hù)的電源開關(guān)參考電壓和電壓監(jiān)控器LED 驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電池管理集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET 低壓差穩(wěn)壓器(LDO) 理想的二極管控制器件。

分立器件和功率模塊MOSFET 功率模塊碳化硅(SiC) 所有其他。它采用微處理器技術(shù)運(yùn)行，可提供準(zhǔn)確、可靠的功率因數(shù)測(cè)量。